-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 50V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10290pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.3W (Ta), 156W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 1890pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc)
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 72A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1315pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 5.6W (Ta), 35.5W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 78A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2162pF @ 40V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.4W (Ta), 78W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: SRFET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A, 27A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 3.5W, 4.1W
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 52A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2388pF @ 75V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.4W (Ta), 104W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11.5A, 17A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 11.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 1.9W, 2.1W
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6370pF @ 30V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 14A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 19A, 26A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 3.1W
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 28A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 50V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- FET Feature: Schottky Diode (Body)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 1V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 42W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
- 10
- 15
- 50
- 100