Найдено: 190
  • MOSFET N CH 100V 28A DFN5X6
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 85A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 85A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10290pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 7.3W (Ta), 156W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 1890pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N CH 30V 28.5A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28.5A (Ta), 72A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1315pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.6W (Ta), 35.5W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 80V 78A 8-DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 78A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2162pF @ 40V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 7.4W (Ta), 78W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: SRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A, 27A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 3.5W, 4.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 150V 52A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 52A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2388pF @ 75V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 7.4W (Ta), 104W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/17A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11.5A, 17A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 11.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.9W, 2.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 60V 18.5A DFN5X6
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 85A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6370pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 30V 27A DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 30V 25A DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 250V 2.2A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 14A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta), 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 19A, 26A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 3.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 28A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Schottky Diode (Body)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 1V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 42W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: