-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1315pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 5.6W (Ta), 35.5W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.1A, 16A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.1A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 1.9W, 2W
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 32A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6W (Ta), 25W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2719pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 57.5A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6050pF @ 20V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.4W (Ta), 104W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: SRFET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A, 42A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 5W, 4.1W
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3930pF @ 40V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3430pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 26W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 46A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1307pF @ 50V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.4W (Ta), 78W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 34A (Tc), 13.8A (Ta), 52A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 10A, 10V, 7.3mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, 20nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V, 1300pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 1.9W (Ta), 22W (Tc), 2.1W (Ta), 30W (Tc)
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A, 60A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 3.1W
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 32A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6W (Ta), 25W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- FET Feature: Schottky Diode (Body)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2796pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 36A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2719pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.2W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
- 10
- 15
- 50
- 100