-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 55A (Tc), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 24W, 52W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 52A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 27W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: XSPairFET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 85nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1.15nF @ 12.5V, 4.52nF @ 12.5V
- Мощность - Макс.: 3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: SDMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 65A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 40V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±25V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- FET Feature: Schottky Diode (Body)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3509pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: SRFET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 70A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 84A (Ta), 200A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 325nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11500pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 6.2W (Ta), 48W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3830pF @ 50V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.3W (Ta), 156W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3780pF @ 20V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 78W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 85A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 37.5V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 30V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 5W (Ta), 38W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-DFN (5x6)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.9W (Ta), 31W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100