Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1A Pmax 325mW
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: NXP Semiconductors
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1010D-3
- Мощность - Макс.: 325mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 190MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1010D-3
- Мощность - Макс.: 325mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 190MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP Semiconductors
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1010D-3
- Мощность - Макс.: 325mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1010D-3
- Мощность - Макс.: 325mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP Semiconductors
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1010D-3
- Мощность - Макс.: 325mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 250 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 170MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1010D-3
- Мощность - Макс.: 325mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 130 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 170MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100