-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBSS5130QAZ | TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3 | Nexperia USA Inc. | 3-XDFN Exposed Pad | 1A | 30V | 325mW | Surface Mount | PNP | 150°C (TJ) | DFN1010D-3 | 240mV @ 100mA, 1A | 100nA (ICBO) | 130 @ 1A, 2V | 170MHz |
| PBSS4130QAZ | TRANS NPN 30V 1A DFN1010D-3 | Nexperia USA Inc. | 3-XDFN Exposed Pad | 1A | 30V | 325mW | Surface Mount | NPN | 150°C (TJ) | DFN1010D-3 | 245mV @ 50mA, 1A | 100nA (ICBO) | 180 @ 1A, 2V | 190MHz |
| PBSS5160QAZ | TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3 | Nexperia USA Inc. | 3-XDFN Exposed Pad | 1A | 60V | 325mW | Surface Mount | PNP | 150°C (TJ) | DFN1010D-3 | 460mV @ 50mA, 1A | 100nA (ICBO) | 85 @ 1A, 2V | 150MHz |
| PBSS5130QAZ | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | NXP Semiconductors | 3-XDFN Exposed Pad | 1A | 30V | 325mW | Surface Mount | PNP | 150°C (TJ) | DFN1010D-3 | 240mV @ 100mA, 1A | 100nA | 250 @ 100mA, 2V | 170MHz |
| PBSS4130QAZ | NEXPERIA PBSS4130QA - 30 V, 1 A | NXP Semiconductors | 3-XDFN Exposed Pad | 1A | 30V | 325mW | Surface Mount | NPN | 150°C (TJ) | DFN1010D-3 | 245mV @ 50mA, 1A | 100nA (ICBO) | 180 @ 1A, 2V | 190MHz |
| PBSS5160QAZ | PBSS5160QA - 60 V, 1 A PNP LOW V | NXP Semiconductors | 3-XDFN Exposed Pad | 1A | 60V | 325mW | Surface Mount | PNP | 150°C (TJ) | DFN1010D-3 | 460mV @ 50mA, 1A | 100nA | 160 @ 100mA, 2V | 150MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100