Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 150mA Pmax 320mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • TBC857B,LM
    TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 320mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 210 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 30nA (ICBO)
    • Граничная частота: 80MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TBC847B,LM
    TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 320mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 30nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TMBT3904,LM
    TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 320mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TMBT3906,LM
    TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 320mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100