Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
TBC857B,LM TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150mA 50V 320mW Surface Mount PNP 150°C (TJ) SOT-23-3 650mV @ 100mA, 5mA 30nA (ICBO) 210 @ 2mA, 5V 80MHz
TBC847B,LM TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150mA 50V 320mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-23-3 400mV @ 100mA, 5mA 30nA (ICBO) 200 @ 2mA, 5V 100MHz
TMBT3904,LM TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150mA 50V 320mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-23-3 300mV @ 5mA, 50mA 100nA (ICBO) 100 @ 10mA, 1V 300MHz
TMBT3906,LM TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150mA 50V 320mW Surface Mount PNP 150°C (TJ) SOT-23-3 400mV @ 5mA, 50mA 100nA (ICBO) 100 @ 10mA, 1V 250MHz