Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 10A Pmax 100W

Найдено: 24
  • TRANS PNP 140V 10A TO3P
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 140V 10A TO3P
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 140V 10A TO3P
    Sanken
    • Производитель: Sanken
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 20MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 140V 10A TO3P
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P(N)
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 700mA, 7A
    • Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 400V 10A TO3
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 2.5A, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.3V @ 2.5A, 8A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 140V 10A TO3P
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 20MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 700V 10A TO220
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: SWITCHMODE™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -60°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
    • Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 1.5A, 7A
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Граничная частота: 23MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 450V 10A TO220
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 1A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN DARL 60V 10A TO3
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP DARL 150V 10A TO3P
    Sanken
    • Производитель: Sanken
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
    • Усиление по току (hFE): 5000 @ 7A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
    • Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 150V 10A TO3P
    Sanken
    • Производитель: Sanken
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 3V, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
    • Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
    • Граничная частота: 70MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 140V 10A TO3P
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 140V 10A TO247-3
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 20MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 140V 10A TO3P
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 140V 10A TO247-3
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 20MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: