• Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 24
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
BUH100G TRANS NPN 400V 10A TO220 onsemi TO-220-3 10A 400V 100W Through Hole NPN -60°C ~ 150°C (TJ) TO-220 750mV @ 1.5A, 7A 100µA 10 @ 5A, 5V 23MHz SWITCHMODE™
BUH100 POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN Rochester Electronics, LLC TO-220-3 10A 700V 100W Through Hole NPN -60°C ~ 150°C (TJ) TO-220AB 750mV @ 1.5A, 7A 100µA 10 @ 5A, 5V 23MHz SWITCHMODE™
BUH100G POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN Rochester Electronics, LLC TO-220-3 10A 400V 100W Through Hole NPN -60°C ~ 150°C (TJ) TO-220AB 750mV @ 1.5A, 7A 100µA 10 @ 5A, 5V 23MHz SWITCHMODE™
2SC4468 TRANS NPN 140V 10A TO3P Sanken TO-3P-3, SC-65-3 10A 140V 100W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-3P 500mV @ 500mA, 5A 10µA (ICBO) 50 @ 3A, 4V 20MHz
STD01P TRANS PNP DARL 150V 10A TO3P-5L Sanken TO-3P-5 10A 150V 100W Through Hole PNP - Darlington 150°C (TJ) TO-3P-5L 2V @ 6mA, 6A 100µA (ICBO) 5000 @ 6A, 4V
2SA1186 TRANS PNP 150V 10A TO3P Sanken TO-3P-3 Full Pack 10A 150V 100W Through Hole PNP 150°C (TJ) TO-3P 2V @ 500mA, 5A 100µA (ICBO) 50 @ 3A, 4V 60MHz
STD01N TRANS NPN DARL 150V 10A TO3P-5L Sanken TO-3P-5 10A 150V 100W Through Hole NPN - Darlington 150°C (TJ) TO-3P-5L 2V @ 6mA, 6A 100µA (ICBO) 5000 @ 6A, 4V
2SD2390 TRANS NPN DARL 150V 10A TO3P Sanken TO-3P-3, SC-65-3 10A 150V 100W Through Hole NPN - Darlington 150°C (TJ) TO-3P 2.5V @ 7mA, 7A 100µA (ICBO) 5000 @ 7A, 4V 55MHz
2STC4468 TRANS NPN 140V 10A TO3P STMicroelectronics TO-3P-3, SC-65-3 10A 140V 100W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-3P 700mV @ 700mA, 7A 100nA (ICBO) 70 @ 3A, 4V 20MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100