Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.2A Pmax 1.2W

Найдено: 12
  • TRANS NPN 160V 1.2A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 155MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 120V 1.2A TO126-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 155MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 160V 1.2A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 155MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 120V 1.2A TO126
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 175MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 160V 1.2A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 300mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 155MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 160V 1.2A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 300mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 155MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 120V 1.2A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 155MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 160V 1.2A TO126
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 300mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 175MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 160V 1.2A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 155MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 160V 1.2A TO126
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 175MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 175MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 160V 1.2A TO126
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 175MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: