-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 155MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 155MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 155MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 175MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 155MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 155MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 155MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 175MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 155MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 175MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 175MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 175MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100