Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.5A Pmax 1.1W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 19
  • APT13003DU-E1
    TRANS NPN DARL 450V 1.5A TO126
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
    • Усиление по току (hFE): 16 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TTC008(Q)
    TRANS NPN 285V 1.5A PW-MOLD2
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Тип корпуса: PW-MOLD2
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 285V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJN3303BU
    POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC6142(Q)
    TRANS NPN 375V 1.5A PW-MOLD2
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
    • Тип корпуса: PW-MOLD2
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 375V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 100mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 800mA
    • Обратный ток коллектора: 50µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT13003EZTR-G1
    TRANS NPN 465V 1.5A TO92
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 465V
    • Усиление по току (hFE): 13 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT13003DZTR-G1
    TRANS NPN 450V 1.5A TO92
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
    • Усиление по току (hFE): 5 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJN3303TA
    TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJN3303TA
    POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJN3303BU
    TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT13003HZTR-G1
    TRANS NPN 465V 1.5A TO92
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 465V
    • Усиление по току (hFE): 13 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJN13003BU
    TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 9 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJN3303TA
    TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJN3303BU
    TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 14 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FJN13003TA
    TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 9 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT13003EU-E1
    TRANS NPN 465V 1.5A TO126
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 465V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 300mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100