- Ток коллектора (макс)
- Производитель
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
- Тип корпуса
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1441ATE85LF | TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI | Toshiba Semiconductor and Storage | 300mA | 20V | 200mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | S-Mini | 5.6 kOhms | 100mV @ 3mA, 30mA | 100nA (ICBO) | 200 @ 4mA, 2V | 30MHz | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RN1444ATE85LF | TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI | Toshiba Semiconductor and Storage | 300mA | 20V | 200mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | S-Mini | 2.2kOhms | 100mV @ 3mA, 30mA | 100nA (ICBO) | 200 @ 4mA, 2V | 30MHz | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RN1442ATE85LF | TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI | Toshiba Semiconductor and Storage | 300mA | 20V | 200mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | S-Mini | 10kOhms | 100mV @ 3mA, 30mA | 100nA (ICBO) | 200 @ 4mA, 2V | 30MHz | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
- 10
- 15
- 50
- 100