- Ток коллектора (макс)
- Производитель
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
- Тип корпуса
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 300mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 4mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
- Резистор базы (R1): 5.6 kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 300mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 4mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 300mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 4mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100