Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 300mA в корпусе S-Mini

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
  • RN1441ATE85LF
    TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 300mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 4mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    • Резистор базы (R1): 5.6 kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1444ATE85LF
    TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 300mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 4mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1442ATE85LF
    TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 300mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 4mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100