- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Вид монтажа
|
Формат памяти
|
Тактовая частота
|
Тип памяти
|
Объем памяти
|
Напряжение питания
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Package / Case
|
Время доступа
|
Интерфейс
|
Время цикла записи - слово, страница
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AT25SF321B-SSHB-T | 8SOIC-N IND TEMP 2.7V | Adesto Technologies | Surface Mount | FLASH | 108MHz | Non-Volatile | 32Mb (4M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-SOIC | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SPI - Quad I/O | 50µs, 3ms | ||
S25FL064P0XMFA003 | IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | 104MHz | Non-Volatile | 64Mb (8M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 16-SOIC | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | SPI - Quad I/O | 5µs, 3ms | Automotive, AEC-Q100, FL-P | |
GS8256436GB-400I | IC SRAM 288MBIT PAR 119FPBGA | GSI Technology Inc. | Surface Mount | SRAM | 400MHz | Volatile | 288Mb (8M x 36) | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | SRAM - Synchronous, Standard | -40°C ~ 100°C (TJ) | 119-FPBGA (22x14) | 119-BGA | Parallel | |||
IS25WQ040-JNLE-TR | IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8SOP | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | FLASH | 104MHz | Non-Volatile | 4Mb (512K x 8) | 1.65V ~ 1.95V | FLASH - NOR | -40°C ~ 105°C (TA) | 8-SOIC | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) | SPI | 1ms | ||
IS61NLP12836B-200B2LI-TR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | SRAM | 200MHz | Volatile | 4.5Mb (128K x 36) | 3.135V ~ 3.465V | SRAM - Synchronous, SDR | -40°C ~ 85°C (TA) | 119-PBGA (14x22) | 119-BBGA | 3.1ns | Parallel | ||
MX29LV400CBXEI-70G | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48LFBGA | Macronix | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 4Mb (512K x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 48-LFBGA, CSP (6x8) | 48-LFBGA, CSPBGA | 70ns | Parallel | 70ns | MX29LV | |
MX25L25645GXDI-10G | IC FLASH 256MBIT SPI 24CSPBGA | Macronix | Surface Mount | FLASH | 120MHz | Non-Volatile | 256Mb (32M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 24-CSPBGA (6x8) | 24-TBGA, CSPBGA | SPI | 30µs, 750µs | MXSMIO™ | |
MX25U1635FBAI-10G | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 12WLCSP | Macronix | Surface Mount | FLASH | 104MHz | Non-Volatile | 16Mb (2M x 8) | 1.65V ~ 2V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 12-WLCSP | 12-UFBGA, WLCSP | SPI - Quad I/O | 30µs, 1.5ms | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ | |
24LC21T-I/SN | IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 1Kb (128 x 8) | 2.5V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-SOIC | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 900ns | I²C | 10ms | |
AT25080A-10PI-2.7 | IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8DIP | Microchip Technology | Through Hole | EEPROM | 20MHz | Non-Volatile | 8Kb (1K x 8) | 2.7V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-PDIP | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | SPI | 5ms | ||
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | Micron Technology Inc. | Surface Mount | DRAM | 200MHz | Volatile | 4Gb (128M x 32) | 1.7V ~ 1.95V | SDRAM - Mobile LPDDR | -40°C ~ 85°C (TA) | 168-WFBGA (12x12) | 168-WFBGA | 5ns | Parallel | 15ns | |
CAT24C208WI-G | IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC | onsemi | Surface Mount | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 8Kb (256 x 8 x 4) | 2.5V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-SOIC | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 900ns | I²C | 5ms | |
CY7C1041CV33-20ZSXAT | STANDARD SRAM, 256KX16, CMOS | Rochester Electronics, LLC | Surface Mount | SRAM | Volatile | 4Mb (256K x 16) | 3V ~ 3.6V | SRAM - Asynchronous | -40°C ~ 85°C (TA) | 44-TSOP II | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 20ns | Parallel | 20ns | ||
CY27C256-45JC | OTP ROM, 32KX8, 45NS PQCC32 | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||
W25Q128FVFIQ | IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC | Winbond Electronics | Surface Mount | FLASH | 104MHz | Non-Volatile | 128Mb (16M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 16-SOIC | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | SPI - Quad I/O, QPI | 50µs, 3ms | SpiFlash® |
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.