Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти SRAM

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 208-BFQFP
• Тип корпуса: 208-PQFP (28x28)
• Напряжение питания: 2.4V ~ 2.6V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 12ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 44-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 12ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Alliance Memory, Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 44-TSOP2
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 15ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 84-BPGA
• Тип корпуса: 84-PGA (27.94x27.94)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 64Kb (4K x 16)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 55ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 55ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 119-BGA
• Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Серия: MoBL®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Тип корпуса: 28-SOIC
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 70ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 70ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 144-LBGA
• Тип корпуса: 144-FBGA (13x13)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 2Mb (128K x 18)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 32-SOJ
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
• Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 10ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 10ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Время доступа: 3.1ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• Тип корпуса: 28-SOJ
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 12ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: NoBL™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 72Mb (2M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Время доступа: 3ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, DDR II
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 450MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 119-BGA
• Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel