• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 84-LCC (J-Lead)
• Тип корпуса: 84-PLCC (29.31x29.31)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 256Kb (16K x 16)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 20ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 4.2ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• Тип корпуса: 28-SOP
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
• Технология: SRAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 70ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 70ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 256-LBGA
• Тип корпуса: 256-CABGA (17x17)
• Напряжение питания: 2.4V ~ 2.6V
• Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 15ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 119-BGA
• Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
• Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Время доступа: 3ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 165-TBGA
• Тип корпуса: 165-PBGA (13x15)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Время доступа: 3.1ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 36-SOJ
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
• Технология: SRAM - Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 10ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 10ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 32-TSOP II
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
• Технология: SRAM
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 55ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 55ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 64-LQFP
• Тип корпуса: 64-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 45ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 45ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: NoBL™
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
• Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 165-LBGA
• Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 36Mb (1M x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 250MHz
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 256-LBGA
• Тип корпуса: 256-CABGA (17x17)
• Напряжение питания: 3.15V ~ 3.45V
• Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
• Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Время доступа: 3.4ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 64Kb (4K x 16)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 20ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 100-LQFP
• Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
• Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
• Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 150MHz
• Время доступа: 3.8ns
• Формат памяти: SRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 64-LQFP
• Тип корпуса: 64-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 45ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 45ns
• Интерфейс: Parallel