Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти NVSRAM
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 48-TFBGA
- Тип корпуса: 48-FBGA (6x10)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 32-EDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 48-SSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 28-EDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 200ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 200ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3.4MHz
- Формат памяти: NVSRAM
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 32-EDIP
- Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 32-EDIP
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 2Mb (256K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 34-LPM
- Тип корпуса: 34-LPM
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 32-EDIP
- Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
- Объем памяти: 2Mb (256K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 85ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 85ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Simtek
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 28-CDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 55ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 55ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
- Тип корпуса: 28-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 28-EDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 150ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 150ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 34-PowerCap™ Module
- Тип корпуса: 34-PowerCap Module
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 32-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 35ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 35ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 32-EDIP
- Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 120ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 120ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100