Микросхемы памяти NVSRAM | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 1330

STK12C68-PF55

NON-VOLATILE SRAM, 8KX8, 55NS PD

Simtek
- Производитель: Simtek
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 28-PDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 55ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 55ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STK14C88-NF25TR

IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 32-SOIC
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1250YL-70

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 34-LPM
- Тип корпуса: 34-LPM
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BQ4010YMA-200

IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

Texas Instruments
- Производитель: Texas Instruments
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
- Тип корпуса: 28-DIP Module (18.42x37.72)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 200ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 200ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1230AB-150

IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 28-EDIP
- Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 150ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 150ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1225AD-170+

IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 28-EDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 170ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 170ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14B104L-ZS25XI

IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 44-TSOP II
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1220AD-120+

IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 24-EDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 16Kb (2K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 120ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 120ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1250Y-70IND

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 32-EDIP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14B108L-BA25XIT

IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 48-TFBGA
- Тип корпуса: 48-FBGA (6x10)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 8Mb (1M x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1330WP-150

IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP

Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 34-PowerCap™ Module
- Тип корпуса: 34-PowerCap Module
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 150ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 150ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14MB064J1A-SXI

IC NVSRAM 64KBIT I2C 8SOIC

Cypress Semiconductor Corp
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 64Kb (8K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3.4MHz
- Формат памяти: NVSRAM
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BQ4014YMB-85

NV SRAM MODULE, 256KX8, 85NS

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
- Тип корпуса: 32-DIP Module (18.42x52.96)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 2Mb (256K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 85ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 85ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DS1220AB-150

DS1220 16K NONVOLATILE SRAM

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Тип корпуса: 24-EDIP
- Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
- Объем памяти: 16Kb (2K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 150ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 150ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CY14B101K-SP45XI

NV SRAM, 128KX8, 45NS, CMOS

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 48-SSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: NVSRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: