- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 168-VFBGA
- Тип корпуса: 168-FBGA (12x12)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.95V
- Объем памяти: 12Gb (384M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 533MHz
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP II
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 167MHz
- Время доступа: 700ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: Automotive, AEC-Q100, GL-S
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 64-LBGA
- Тип корпуса: 64-FBGA (13x11)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 80ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 60ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 63-VFBGA
- Тип корпуса: 63-VFBGA (9x11)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 2Gb (2G x 1)
- Технология: FLASH - NAND
- Тип памяти: Non-Volatile
- Формат памяти: FLASH
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 36-SOJ
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: SRAM - Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 10ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 10ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Atmel
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 5.5V
- Объем памяти: 4Kb (512 x 8)
- Технология: EEPROM
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 20MHz
- Формат памяти: EEPROM
- Время цикла записи - слово, страница: 5ms
- Интерфейс: SPI
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 4-UBGA, FCBGA
- Тип корпуса: 4-FlipChip (2.39x1.73)
- Объем памяти: 256b (32 x 8)
- Технология: EEPROM
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 15µs
- Формат памяти: EEPROM
- Интерфейс: 1-Wire®
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: VSON008X2030
- Напряжение питания: 1.6V ~ 5.5V
- Объем памяти: 2Kb (256 x 8)
- Технология: EEPROM
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 400kHz
- Формат памяти: EEPROM
- Время цикла записи - слово, страница: 5ms
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 32-TSOP II
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: SRAM
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 55ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 55ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TC)
- Package / Case: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
- Тип корпуса: 32-VSOP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 2Mb (256K x 8)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 50µs
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 64-LQFP
- Тип корпуса: 64-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: NoBL™
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 167MHz
- Время доступа: 3.4ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 36Mb (1M x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 250MHz
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: SST39 MPF™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
- Тип корпуса: 32-TSOP
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 20µs
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.
Справочная информация по основным параметрам:
Memory Type (Тип памяти) —
Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) —
Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Access Time (Время доступа) —
Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Memory Size (Объем памяти) —
Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Clock Frequency (Тактовая частота) —
Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.