- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Вид монтажа
|
Формат памяти
|
Тактовая частота
|
Тип памяти
|
Объем памяти
|
Напряжение питания
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Package / Case
|
Время доступа
|
Интерфейс
|
Время цикла записи - слово, страница
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FT24C512A-USR-B | IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOP | Fremont Micro Devices Ltd | Surface Mount | EEPROM | 1MHz | Non-Volatile | 512Kb (64K x 8) | 1.8V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C | 8-SOP | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 900ns | I²C | 5ms | |
GD25VE16CTIG | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Surface Mount | FLASH | 104MHz | Non-Volatile | 16Mb (2M x 8) | 2.1V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-SOP | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SPI - Quad I/O | |||
IS42S32200E-6TLI-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | DRAM | 166MHz | Volatile | 64Mb (2M x 32) | 3V ~ 3.6V | SDRAM | -40°C ~ 85°C (TA) | 86-TSOP II | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) | 5.5ns | Parallel | ||
IS43LR32100C-6BL-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | DRAM | 166MHz | Volatile | 32Mb (1M x 32) | 1.7V ~ 1.95V | SDRAM - Mobile LPDDR | 0°C ~ 70°C (TA) | 90-TFBGA (8x13) | 90-TFBGA | 5.5ns | Parallel | 12ns | |
93LC66BT-E/MS | IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8MSOP | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | 2MHz | Non-Volatile | 4Kb (256 x 16) | 2.5V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 125°C (TA) | 8-MSOP | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | SPI | 6ms | ||
SST25PF040CT-40V/NP18GVAO | IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8USON | Microchip Technology | Surface Mount | FLASH | 40MHz | Non-Volatile | 4Mb (512K x 8) | 2.3V ~ 3.6V | FLASH | -40°C ~ 105°C (TA) | 8-USON (2x3) | 8-UFDFN Exposed Pad | SPI | 5ms | Automotive, AEC-Q100 | |
AT49F001-70VI | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32VSOP | Microchip Technology | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 1Mb (128K x 8) | 4.5V ~ 5.5V | FLASH | -40°C ~ 85°C (TC) | 32-VSOP | 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) | 70ns | Parallel | 50µs | ||
24VL025T/MS | IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 2Kb (256 x 8) | 1.5V ~ 3.6V | EEPROM | -20°C ~ 85°C (TA) | 8-MSOP | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 900ns | I²C | 5ms | |
MT25QU01GBBB8ESF-0AAT | IC FLASH 1GBIT SPI 133MHZ 16SOP2 | Micron Technology Inc. | Surface Mount | FLASH | 133MHz | Non-Volatile | 1Gb (128M x 8) | 1.7V ~ 2V | FLASH - NOR | -40°C ~ 105°C (TA) | 16-SOP2 | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | SPI | 8ms, 2.8ms | Automotive, AEC-Q100 | |
MT53E2DBDS-DC TR | LPDDR4 4G DDP | Micron Technology Inc. | ||||||||||||||
R1LV5256ESP-7SR#S0 | IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP | Renesas Electronics America | Surface Mount | SRAM | Volatile | 256Kb (32K x 8) | 2.7V ~ 3.6V | SRAM | 0°C ~ 70°C (TA) | 28-SOP | 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) | 70ns | Parallel | 70ns | ||
70T633S15BC8 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 9Mb (512K x 18) | 2.4V ~ 2.6V | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 0°C ~ 70°C (TA) | 256-CABGA (17x17) | 256-LBGA | 15ns | Parallel | 15ns | ||
CY7C1313V18-200BZC | QDR SRAM, 1MX18, 0.45NS | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||
SM662PEE-BESS | FERRI-EMCC 3D I 80GB SLC 153BGA | Silicon Motion, Inc. | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 640Gb (80G x 8) | FLASH - NAND (SLC), FLASH - NAND (TLC) | -40°C ~ 85°C | 100-BGA (14x18) | 100-LBGA | eMMC | Ferri-eMMC® | ||||
W25Q80EWSNIG | IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | Winbond Electronics | Surface Mount | FLASH | 104MHz | Non-Volatile | 8Mb (1M x 8) | 1.65V ~ 1.95V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-SOIC | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SPI - Quad I/O, QPI | 800µs | SpiFlash® |
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.