Найдено: 63748
Наименование Описание Производитель
Вид монтажа
Формат памяти
Тактовая частота
Тип памяти
Объем памяти
Напряжение питания
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Package / Case
Время доступа
Интерфейс
Время цикла записи - слово, страница
Серия
FT24C512A-USR-B IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOP Fremont Micro Devices Ltd Surface Mount EEPROM 1MHz Non-Volatile 512Kb (64K x 8) 1.8V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 85°C 8-SOP 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 900ns I²C 5ms
GD25VE16CTIG IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Surface Mount FLASH 104MHz Non-Volatile 16Mb (2M x 8) 2.1V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 8-SOP 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SPI - Quad I/O
IS42S32200E-6TLI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount DRAM 166MHz Volatile 64Mb (2M x 32) 3V ~ 3.6V SDRAM -40°C ~ 85°C (TA) 86-TSOP II 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 5.5ns Parallel
IS43LR32100C-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount DRAM 166MHz Volatile 32Mb (1M x 32) 1.7V ~ 1.95V SDRAM - Mobile LPDDR 0°C ~ 70°C (TA) 90-TFBGA (8x13) 90-TFBGA 5.5ns Parallel 12ns
93LC66BT-E/MS IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8MSOP Microchip Technology Surface Mount EEPROM 2MHz Non-Volatile 4Kb (256 x 16) 2.5V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 125°C (TA) 8-MSOP 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) SPI 6ms
SST25PF040CT-40V/NP18GVAO IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8USON Microchip Technology Surface Mount FLASH 40MHz Non-Volatile 4Mb (512K x 8) 2.3V ~ 3.6V FLASH -40°C ~ 105°C (TA) 8-USON (2x3) 8-UFDFN Exposed Pad SPI 5ms Automotive, AEC-Q100
AT49F001-70VI IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32VSOP Microchip Technology Surface Mount FLASH Non-Volatile 1Mb (128K x 8) 4.5V ~ 5.5V FLASH -40°C ~ 85°C (TC) 32-VSOP 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) 70ns Parallel 50µs
24VL025T/MS IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Microchip Technology Surface Mount EEPROM 400kHz Non-Volatile 2Kb (256 x 8) 1.5V ~ 3.6V EEPROM -20°C ~ 85°C (TA) 8-MSOP 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 900ns I²C 5ms
MT25QU01GBBB8ESF-0AAT IC FLASH 1GBIT SPI 133MHZ 16SOP2 Micron Technology Inc. Surface Mount FLASH 133MHz Non-Volatile 1Gb (128M x 8) 1.7V ~ 2V FLASH - NOR -40°C ~ 105°C (TA) 16-SOP2 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) SPI 8ms, 2.8ms Automotive, AEC-Q100
MT53E2DBDS-DC TR LPDDR4 4G DDP Micron Technology Inc.
R1LV5256ESP-7SR#S0 IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP Renesas Electronics America Surface Mount SRAM Volatile 256Kb (32K x 8) 2.7V ~ 3.6V SRAM 0°C ~ 70°C (TA) 28-SOP 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) 70ns Parallel 70ns
70T633S15BC8 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM Volatile 9Mb (512K x 18) 2.4V ~ 2.6V SRAM - Dual Port, Asynchronous 0°C ~ 70°C (TA) 256-CABGA (17x17) 256-LBGA 15ns Parallel 15ns
CY7C1313V18-200BZC QDR SRAM, 1MX18, 0.45NS Rochester Electronics, LLC
SM662PEE-BESS FERRI-EMCC 3D I 80GB SLC 153BGA Silicon Motion, Inc. Surface Mount FLASH Non-Volatile 640Gb (80G x 8) FLASH - NAND (SLC), FLASH - NAND (TLC) -40°C ~ 85°C 100-BGA (14x18) 100-LBGA eMMC Ferri-eMMC®
W25Q80EWSNIG IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Winbond Electronics Surface Mount FLASH 104MHz Non-Volatile 8Mb (1M x 8) 1.65V ~ 1.95V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 8-SOIC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SPI - Quad I/O, QPI 800µs SpiFlash®

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.