- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Вид монтажа
|
Формат памяти
|
Тактовая частота
|
Тип памяти
|
Объем памяти
|
Напряжение питания
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Package / Case
|
Время доступа
|
Интерфейс
|
Время цикла записи - слово, страница
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S29GL512S11TFI020 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 512Mb (32M x 16) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 56-TSOP | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 110ns | Parallel | 60ns | GL-S | |
CY7C1325S-100AXI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | SRAM | 100MHz | Volatile | 4.5Mb (256K x 18) | 3.15V ~ 3.6V | SRAM - Synchronous, SDR | -40°C ~ 85°C (TA) | 100-TQFP (14x14) | 100-LQFP | 8ns | Parallel | ||
S29GL256P10FAI022 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 256Mb (32M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 64-FBGA (13x11) | 64-LBGA | 100ns | Parallel | 100ns | GL-P | |
71V3559S80BG | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA | IDT, Integrated Device Technology Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 4.5Mb (256K x 18) | 3.135V ~ 3.465V | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 0°C ~ 70°C (TA) | 119-PBGA (14x22) | 119-BGA | 8ns | Parallel | |||
IS49NLC18320-33BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | DRAM | 300MHz | Volatile | 576Mb (32M x 18) | 1.7V ~ 1.9V | DRAM | -40°C ~ 85°C (TA) | 144-FCBGA (11x18.5) | 144-TFBGA | 20ns | Parallel | ||
AT29C256-70PC | IC FLASH 256KBIT PARALLEL 28DIP | Microchip Technology | Through Hole | FLASH | Non-Volatile | 256Kb (32K x 8) | 4.5V ~ 5.5V | FLASH | 0°C ~ 70°C (TC) | 28-PDIP | 28-DIP (0.600", 15.24mm) | 70ns | Parallel | 10ms | ||
24LC02BHT-E/LT | IC EEPROM 2KBIT I2C SC70-5 | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 2Kb (256 x 8) | 2.5V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 125°C (TA) | SC-70-5 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 900ns | I²C | 5ms | |
PC28F640P30B85D TR | IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA | Micron Technology Inc. | Surface Mount | FLASH | 52MHz | Non-Volatile | 64Mb (4M x 16) | 1.7V ~ 2V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 64-EasyBGA (10x13) | 64-TBGA | 85ns | Parallel | 85ns | StrataFlash™ |
N2M400HDB321A3CE | IC FLASH 128GBIT MMC 100LBGA | Micron Technology Inc. | Surface Mount | FLASH | 52MHz | Non-Volatile | 128Gb (16G x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NAND | -40°C ~ 85°C (TA) | 100-LBGA (14x18) | 100-LBGA | MMC | |||
QS7024A-20J | MULTI-PORT SRAM, 4KX16, 20NS | Quality Semiconductor | ||||||||||||||
7026L20JI8 | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 256Kb (16K x 16) | 4.5V ~ 5.5V | SRAM - Dual Port, Asynchronous | -40°C ~ 85°C (TA) | 84-PLCC (29.31x29.31) | 84-LCC (J-Lead) | 20ns | Parallel | 20ns | ||
IDT71V65803S133PF8 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | 133MHz | Volatile | 9Mb (512K x 18) | 3.135V ~ 3.465V | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 0°C ~ 70°C (TA) | 100-TQFP (14x14) | 100-LQFP | 4.2ns | Parallel | ||
CY7C1372SV25-167AXC | ZBT SRAM, 1MX18, 3.4NS | Rochester Electronics, LLC | Surface Mount | SRAM | 167MHz | Volatile | 18Mb (1M x 18) | 2.375V ~ 2.625V | SRAM - Synchronous, SDR | 0°C ~ 70°C (TA) | 100-TQFP (14x14) | 100-LQFP | 3.4ns | Parallel | ||
W77M26FJWFIE TR | SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, | Winbond Electronics | Surface Mount | DRAM | 104MHz | Volatile | 32Mb (4M x 8) | 1.7V ~ 1.95V | SDRAM | -40°C ~ 85°C | 16-SOIC | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | |||
W631GG6KB-11 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | Winbond Electronics | Surface Mount | DRAM | 933MHz | Volatile | 1Gb (64M x 16) | 1.425V ~ 1.575V | SDRAM - DDR3 | 0°C ~ 85°C (TC) | 96-WBGA (9x13) | 96-TFBGA | 20ns | Parallel |
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.