Найдено: 63748
Наименование Описание Производитель
Вид монтажа
Формат памяти
Тактовая частота
Тип памяти
Объем памяти
Напряжение питания
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Package / Case
Время доступа
Интерфейс
Время цикла записи - слово, страница
Серия
S29GL512S11TFI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH Non-Volatile 512Mb (32M x 16) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 56-TSOP 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 110ns Parallel 60ns GL-S
CY7C1325S-100AXI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Semiconductor Corp Surface Mount SRAM 100MHz Volatile 4.5Mb (256K x 18) 3.15V ~ 3.6V SRAM - Synchronous, SDR -40°C ~ 85°C (TA) 100-TQFP (14x14) 100-LQFP 8ns Parallel
S29GL256P10FAI022 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH Non-Volatile 256Mb (32M x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 64-FBGA (13x11) 64-LBGA 100ns Parallel 100ns GL-P
71V3559S80BG IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA IDT, Integrated Device Technology Inc Surface Mount SRAM Volatile 4.5Mb (256K x 18) 3.135V ~ 3.465V SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 0°C ~ 70°C (TA) 119-PBGA (14x22) 119-BGA 8ns Parallel
IS49NLC18320-33BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount DRAM 300MHz Volatile 576Mb (32M x 18) 1.7V ~ 1.9V DRAM -40°C ~ 85°C (TA) 144-FCBGA (11x18.5) 144-TFBGA 20ns Parallel
AT29C256-70PC IC FLASH 256KBIT PARALLEL 28DIP Microchip Technology Through Hole FLASH Non-Volatile 256Kb (32K x 8) 4.5V ~ 5.5V FLASH 0°C ~ 70°C (TC) 28-PDIP 28-DIP (0.600", 15.24mm) 70ns Parallel 10ms
24LC02BHT-E/LT IC EEPROM 2KBIT I2C SC70-5 Microchip Technology Surface Mount EEPROM 400kHz Non-Volatile 2Kb (256 x 8) 2.5V ~ 5.5V EEPROM -40°C ~ 125°C (TA) SC-70-5 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 900ns I²C 5ms
PC28F640P30B85D TR IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc. Surface Mount FLASH 52MHz Non-Volatile 64Mb (4M x 16) 1.7V ~ 2V FLASH - NOR -40°C ~ 85°C (TA) 64-EasyBGA (10x13) 64-TBGA 85ns Parallel 85ns StrataFlash™
N2M400HDB321A3CE IC FLASH 128GBIT MMC 100LBGA Micron Technology Inc. Surface Mount FLASH 52MHz Non-Volatile 128Gb (16G x 8) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NAND -40°C ~ 85°C (TA) 100-LBGA (14x18) 100-LBGA MMC
QS7024A-20J MULTI-PORT SRAM, 4KX16, 20NS Quality Semiconductor
7026L20JI8 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM Volatile 256Kb (16K x 16) 4.5V ~ 5.5V SRAM - Dual Port, Asynchronous -40°C ~ 85°C (TA) 84-PLCC (29.31x29.31) 84-LCC (J-Lead) 20ns Parallel 20ns
IDT71V65803S133PF8 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM 133MHz Volatile 9Mb (512K x 18) 3.135V ~ 3.465V SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 0°C ~ 70°C (TA) 100-TQFP (14x14) 100-LQFP 4.2ns Parallel
CY7C1372SV25-167AXC ZBT SRAM, 1MX18, 3.4NS Rochester Electronics, LLC Surface Mount SRAM 167MHz Volatile 18Mb (1M x 18) 2.375V ~ 2.625V SRAM - Synchronous, SDR 0°C ~ 70°C (TA) 100-TQFP (14x14) 100-LQFP 3.4ns Parallel
W77M26FJWFIE TR SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, Winbond Electronics Surface Mount DRAM 104MHz Volatile 32Mb (4M x 8) 1.7V ~ 1.95V SDRAM -40°C ~ 85°C 16-SOIC 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) SPI - Quad I/O, QPI, DTR
W631GG6KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA Winbond Electronics Surface Mount DRAM 933MHz Volatile 1Gb (64M x 16) 1.425V ~ 1.575V SDRAM - DDR3 0°C ~ 85°C (TC) 96-WBGA (9x13) 96-TFBGA 20ns Parallel

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.