- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Вид монтажа
|
Формат памяти
|
Тактовая частота
|
Тип памяти
|
Объем памяти
|
Напряжение питания
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Package / Case
|
Время доступа
|
Интерфейс
|
Время цикла записи - слово, страница
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AT45DB011D-SSH-SL955 | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | Adesto Technologies | Surface Mount | FLASH | 66MHz | Non-Volatile | 1Mb (256 Bytes x 512 pages) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH | -40°C ~ 85°C (TC) | 8-SOIC | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SPI | 4ms | ||
S25FL256SAGBHVB00 | IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | 133MHz | Non-Volatile | 256Mb (32M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 105°C (TA) | 24-BGA (6x8) | 24-TBGA | SPI - Quad I/O | FL-S | ||
CY7C1150KV18-450BZC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | SRAM | 450MHz | Volatile | 18Mb (512K x 36) | 1.7V ~ 1.9V | SRAM - Synchronous, DDR II | 0°C ~ 70°C (TA) | 165-FBGA (13x15) | 165-LBGA | Parallel | |||
CY7C199C-12VXC | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | SRAM | Volatile | 256Kb (32K x 8) | 4.5V ~ 5.5V | SRAM - Asynchronous | 0°C ~ 70°C (TA) | 28-SOJ | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) | 12ns | Parallel | 12ns | ||
CY7C1470BV25-200BZI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | SRAM | 200MHz | Volatile | 72Mb (2M x 36) | 2.375V ~ 2.625V | SRAM - Synchronous, SDR | -40°C ~ 85°C (TA) | 165-FBGA (15x17) | 165-LBGA | 3ns | Parallel | NoBL™ | |
S25FL512SAGBHM210 | IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | 133MHz | Non-Volatile | 512Mb (64M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 125°C (TA) | 24-BGA (8x6) | 24-TBGA | SPI - Quad I/O | Automotive, AEC-Q100, FL-S | ||
FM24C17UFLM8 | IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC | Fairchild Semiconductor | Surface Mount | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 16Kb (2K x 8) | 2.7V ~ 5.5V | EEPROM | 0°C ~ 70°C (TA) | 8-SOIC | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 900ns | I²C | 15ms | |
IS29GL256-70FLET | IC FLASH 256MBIT PAR 64LFBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 256Mb (32M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 105°C (TA) | 64-LFBGA (11x13) | 64-LBGA | 70ns | Parallel | 200µs | ||
93LC46C-E/P | IC EEPROM 1KBIT SPI 3MHZ 8DIP | Microchip Technology | Through Hole | EEPROM | 3MHz | Non-Volatile | 1Kb (128 x 8 , 64 x 16) | 2.5V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 125°C (TA) | 8-PDIP | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | SPI | 6ms | ||
AT49LV002NT-12PI | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP | Microchip Technology | Through Hole | FLASH | Non-Volatile | 2Mb (256K x 8) | 3V ~ 3.6V | FLASH | -40°C ~ 85°C (TC) | 32-PDIP | 32-DIP (0.600", 15.24mm) | 120ns | Parallel | 50µs | ||
AT28HC64B-90JC | IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | Non-Volatile | 64Kb (8K x 8) | 4.5V ~ 5.5V | EEPROM | 0°C ~ 70°C (TC) | 32-PLCC (13.97x11.43) | 32-LCC (J-Lead) | 90ns | Parallel | 10ms | ||
MT53D4DHSB-DC TR | SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | Micron Technology Inc. | ||||||||||||||
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D | IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA | Micron Technology Inc. | Surface Mount | DRAM | 2133MHz | Volatile | 32Gb (1G x 32) | 1.1V | SDRAM - Mobile LPDDR4 | -40°C ~ 95°C (TC) | 200-VFBGA (10x14.5) | 200-VFBGA | ||||
CY7C0430CV-133BGI | FOUR-PORT SRAM, 64KX18 | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||
S34ML01G204TFA010 | 1 GB, 3 V, SLC NAND FLASH | Rochester Electronics, LLC |
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.