• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 63748
  • BR93H86RF-2LBH2
    IC EEPROM 16KBIT SPI 2MHZ 8SOP
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOP
    • Напряжение питания: 2.5V ~ 5.5V
    • Объем памяти: 16Kb (1K x 16)
    • Технология: EEPROM
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 2MHz
    • Формат памяти: EEPROM
    • Время цикла записи - слово, страница: 4ms
    • Интерфейс: SPI
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S29AL016J70BFI012
    IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48FBGA
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Серия: AL-J
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 48-VFBGA
    • Тип корпуса: 48-FBGA (8.15x6.15)
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
    • Технология: FLASH - NOR
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Время доступа: 70ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 70ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S25FS064SDSMFB010
    IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Серия: FS-S
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
    • Объем памяти: 64Mb (8M x 8)
    • Технология: FLASH - NOR
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 80MHz
    • Формат памяти: FLASH
    • Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 5962-9166204MXA
    IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PGA
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
    • Package / Case: 84-BPGA
    • Тип корпуса: 84-PGA (27.94x27.94)
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
    • Объем памяти: 64Kb (4K x 16)
    • Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
    • Тип памяти: Volatile
    • Время доступа: 55ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 55ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IDT71T75902S80BGI
    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 119-BGA
    • Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
    • Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
    • Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
    • Тип памяти: Volatile
    • Время доступа: 8ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CY62256L-70SNXC
    STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Серия: MoBL®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
    • Тип корпуса: 28-SOIC
    • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
    • Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
    • Технология: SRAM - Asynchronous
    • Тип памяти: Volatile
    • Время доступа: 70ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 70ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CY7C0831AV-133BBXI
    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144FBGA
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 144-LBGA
    • Тип корпуса: 144-FBGA (13x13)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 2Mb (128K x 18)
    • Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BR24G04-3
    IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8DIP
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-DIP-T
    • Напряжение питания: 1.6V ~ 5.5V
    • Объем памяти: 4Kb (512 x 8)
    • Технология: EEPROM
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 400kHz
    • Формат памяти: EEPROM
    • Время цикла записи - слово, страница: 5ms
    • Интерфейс: I²C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 71V124SA10YGI
    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
    IDT, Integrated Device Technology Inc
    • Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 32-SOJ
    • Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 1Mb (128K x 8)
    • Технология: SRAM - Asynchronous
    • Тип памяти: Volatile
    • Время доступа: 10ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 10ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SST25VF020-20-4C-QAE
    IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8WSON
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: SST25
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-WSON
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 2Mb (256K x 8)
    • Технология: FLASH
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 20MHz
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 20µs
    • Интерфейс: SPI
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L TR
    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-VFBGA
    • Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 167MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 12ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AT29LV040A-20TC
    IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TC)
    • Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
    • Тип корпуса: 32-TSOP
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 4Mb (512K x 8)
    • Технология: FLASH
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Время доступа: 200ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 20ms
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AS4C64M16D3LA-12BANTR
    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 96-VFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
    • Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3L
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 800MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BR93G86NUX-3TTR
    IC EEPROM 16KBIT VSON008X2030
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: VSON008X2030
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 5.5V
    • Объем памяти: 16Kb (2K x 8, 1K x 16)
    • Технология: EEPROM
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 3MHz
    • Формат памяти: EEPROM
    • Время цикла записи - слово, страница: 5ms
    • Интерфейс: SPI
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS61LPS25618A-200TQI
    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 3.1ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.