-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAR 64-07 E6327 | RF DIODE PIN 150V 250MW SOT143-4 | Infineon Technologies | TO-253-4, TO-253AA | 150V | PIN - 2 Independent | PG-SOT-143-3D | 150°C (TJ) | 100mA | 0.35pF @ 20V, 1MHz | 250mW | 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz |
| BAT1707E6327HTSA1 | DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT143-4 | Infineon Technologies | TO-253-4, TO-253AA | 4V | Schottky - 2 Independent | PG-SOT-143-3D | 150°C (TJ) | 130mA | 0.75pF @ 0V, 1MHz | 150mW | 15Ohm @ 5mA, 10kHz |
| BAT15099E6327HTSA1 | DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4 | Infineon Technologies | TO-253-4, TO-253AA | 4V | Schottky - 2 Independent | PG-SOT-143-3D | 150°C (TJ) | 110mA | 0.35pF @ 0V, 1MHz | 100mW | |
| BAT62E6327HTSA1 | DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SOT143 | Infineon Technologies | TO-253-4, TO-253AA | 40V | Schottky - 2 Independent | PG-SOT-143-3D | 150°C (TJ) | 20mA | 0.6pF @ 0V, 1MHz | 100mW | |
| BAT15099RE6327HTSA1 | DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4 | Infineon Technologies | TO-253-4, TO-253AA | 4V | Schottky - 1 Bridge | PG-SOT-143-3D | 150°C (TJ) | 110mA | 0.5pF @ 0V, 1MHz | 100mW | |
| BAT15099E6433HTMA1 | DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4 | Infineon Technologies | TO-253-4, TO-253AA | 4V | Schottky - 2 Independent | PG-SOT-143-3D | 150°C (TJ) | 110mA | 0.35pF @ 0V, 1MHz | 100mW |
- 10
- 15
- 50
- 100