-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 150V
- Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 130mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
- Сопротивление @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 110mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 20mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 40V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
- Тип диода: Schottky - 1 Bridge
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 110mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 110mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100