-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10A10-C1-3000 | DIODE GEN PURP 1000V 10A R6 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | R-6, Axial | 10A | Standard | Through Hole | R-6 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 1000V | 1.1V @ 10A | 1000V | -55°C ~ 200°C | ||
| SR10100L-D1-0000 | DIODE SCHOTTKY 100V 10A DO201AD | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | DO-201AA, DO-27, Axial | 10A | Schottky | Through Hole | DO-201AD (DO-27) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 200µA @ 100V | 700pF @ 4V, 1MHz | 750mV @ 10A | 100V | -55°C ~ 150°C | |
| MUR1040D-F1-0000HF | DIODE GEN PURP 400V 10A TO252 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 10A | Standard | Surface Mount | TO-252 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 1700V | 50pF @ 4V, 1MHz | 1.25V @ 10A | 400V | 35ns | -55°C ~ 150°C |
| SS1010-F1-0000HF | DIODE SCHOTTKY 100V 10A DO214AB | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | DO-214AB, SMC | 10A | Schottky | Surface Mount | DO-214AB (SMC) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100µA @ 100V | 850mV @ 8A | 100V | -55°C ~ 150°C | ||
| 10A10G-D1-0000 | DIODE GEN PURP 1000V 10A R6 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | R-6, Axial | 10A | Standard | Through Hole | R-6 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 2.5 µA @ 1000 V | 60pF @ 4V, 1MHz | 1.1V @ 10A | 1000V | -55°C ~ 150°C |
- 10
- 15
- 50
- 100