-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GP2D010A065C | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252 | SemiQ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-252, (D-Pak) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 100µA @ 650V | 527pF @ 1V, 1MHz | 1.65V @ 10A | 650V | -55°C ~ 175°C | AMP | |
| GP2D010A120B | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2 | SemiQ | TO-247-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 20µA @ 1200V | 635pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | AMP |
| GP2D010A170B | DIODE SCHOTTKY 1.7KV 10A TO247-2 | SemiQ | TO-247-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 20µA @ 1700V | 812pF @ 1V, 1MHz | 1.75V @ 10A | 1700V | 0ns | -55°C ~ 175°C | AMP |
| GP2D010A120A | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | SemiQ | TO-220-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 20µA @ 1200V | 635pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | AMP |
| GP3D010A120A | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO220 | SemiQ | TO-220-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 20µA @ 1200V | 608pF @ 1V, 1MHz | 1.65V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | AMP |
| GP2D010A065A | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | SemiQ | TO-220-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 100µA @ 650V | 527pF @ 1V, 1MHz | 1.65V @ 10A | 650V | -55°C ~ 175°C | AMP | |
| GP3D010A065A | SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO220 | SemiQ | TO-220-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 25µA @ 650V | 419pF @ 1V, 1MHz | 1.6V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | AMP |
| GP3D010A120B | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2 | SemiQ | TO-247-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 20µA @ 1200V | 608pF @ 1V, 1MHz | 1.65V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | AMP |
| GP3D010A065D | SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO263-2L | SemiQ | 10A | 650V |
- 10
- 15
- 50
- 100