-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDW10S120FKSA1 | RECTIFIER DIODE | Rochester Electronics, LLC | TO-247-3 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO247-3-41 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 240µA @ 1.2V | 580pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1.2V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ |
| IDK10G65C5XTMA1 | RECTIFIER DIODE | Rochester Electronics, LLC | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | PG-TO263-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 1.7mA @ 650V | 300pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ |
| SDT10S30 | RECTIFIER DIODE | Rochester Electronics, LLC | TO-220-2 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 300V | 600pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 300V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ |
| IDH10S120AKSA1 | RECTIFIER DIODE | Rochester Electronics, LLC | TO-220-2 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 240µA @ 1.2V | 500pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1.2V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ |
| IDH10SG60CXKSA1 | RECTIFIER DIODE | Rochester Electronics, LLC | TO-220-2 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 90µA @ 600V | 290pF @ 1V, 1MHz | 2.1V @ 10A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ |
- 10
- 15
- 50
- 100