-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PCDP0865G1_T0_00001 | TO-220AC, SIC | Panjit International Inc. | TO-220-2 | 8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 650V | 296pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| PCDB0865G1_T0_00001 | 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE | Panjit International Inc. | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-263 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 650V | 296pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| PCDD08120G1_L2_00001 | 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE | Panjit International Inc. | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-252AA | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 1200V | 418pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 8A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| PCDD0865G1_L2_00001 | 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE | Panjit International Inc. | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-252AA | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 650V | 296pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| PCDP08120G1_T0_00001 | TO-220AC, SIC | Panjit International Inc. | TO-220-2 | 8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 1200V | 418pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 8A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100