-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PCDP2065G1_T0_00001 | TO-220AC, SIC | Panjit International Inc. | TO-220-2 | 20A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 120µA @ 650V | 747pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 20A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| PCDH20120G1_T0_00601 | 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE | Panjit International Inc. | TO-247-2 | 20A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AD-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 180µA @ 1200V | 1023pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 20A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| PCDP20120G1_T0_00001 | TO-220AC, SIC | Panjit International Inc. | TO-220-2 | 20A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 180µA @ 1200V | 1.04nF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 20A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| PCDB20120G1_T0_00001 | 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE | Panjit International Inc. | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 20A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-263 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 180µA @ 1200V | 1040pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 20A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100