• Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
PCDP1065G1_T0_00001 TO-220AC, SIC Panjit International Inc. TO-220-2 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220AC No Recovery Time > 500mA (Io) 70µA @ 650V 364pF @ 1V, 1MHz 1.7V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
PCDD10120G1_L2_00001 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Panjit International Inc. TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-252AA No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 1200V 529pF @ 1V, 1MHz 1.7V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
PCDB1065G1_T0_00001 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Panjit International Inc. TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-263 No Recovery Time > 500mA (Io) 70µA @ 650V 364pF @ 1V, 1MHz 1.7V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
PCDD1065G1_L2_00001 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Panjit International Inc. TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-252AA No Recovery Time > 500mA (Io) 70µA @ 650V 364pF @ 1V, 1MHz 1.7V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
PCDB10120G1_T0_00001 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Panjit International Inc. TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-263 No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 1200V 529pF @ 1V, 1MHz 1.7V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
PCDP10120G1_T0_00001 TO-220AC, SIC Panjit International Inc. TO-220-2 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220AC No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 1200V 529pF @ 1V, 1MHz 1.7V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100