-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL9R18120G2 | DIODE GEN PURP 1200V 18A TO247-2 | onsemi | TO-247-2 | 18A | Standard | Through Hole | TO-247-2 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100µA @ 1200V | 3.3V @ 18A | 1200V | 70ns | -55°C ~ 150°C | Stealth™ |
| ISL9R18120S3ST | DIODE GEN PURP 1200V 18A TO263AB | onsemi | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 18A | Standard | Surface Mount | D²PAK (TO-263) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100µA @ 1200V | 3.3V @ 18A | 1200V | 300ns | -55°C ~ 175°C | Stealth™ |
| ISL9R18120P2 | DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC | onsemi | TO-220-2 | 18A | Standard | Through Hole | TO-220-2 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100µA @ 1200V | 3.3V @ 18A | 1200V | 70ns | -55°C ~ 150°C | Stealth™ |
- 10
- 15
- 50
- 100