-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FFSD0865B-F085 | 650V 8A SIC SBD GEN1.5 | onsemi | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 11.6A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | D-PAK (TO-252) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 650V | 336pF @ 1V, 100kHz | 1.7V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| FFSD0865B | 650V 8A SIC SBD GEN1.5 | onsemi | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 11.6A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | D-PAK (TO-252) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 650V | 336pF @ 1V, 100kHz | 1.7V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| FFSM0865B | SILICON CARBIDE DIODE 650V 8A PQ | onsemi | 4-PowerTSFN | 11.6A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | 4-PQFN (8x8) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 650V | 336pF @ 1V, 100kHz | 1.7V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100