-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS116T,115 | DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75 | NXP USA Inc. | SC-75, SOT-416 | 215mA (DC) | Standard | Surface Mount | SC-75 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 5nA @ 75V | 2pF @ 0V, 1MHz | 1.25V @ 150mA | 75V | 3µs | 150°C (Max) |
| 1PS193,135 | DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3 | NXP USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 215mA (DC) | Standard | Surface Mount | SMT3; MPAK | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 80V | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 1.2V @ 100mA | 80V | 4ns | 150°C (Max) |
| 1PS193,115 | DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3 | NXP USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 215mA (DC) | Standard | Surface Mount | SMT3; MPAK | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 80V | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 1.2V @ 100mA | 80V | 4ns | 150°C (Max) |
| BAS316/ZLX | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | NXP USA Inc. | SC-76, SOD-323 | 215mA (DC) | Standard | Surface Mount | SOD-323 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 80V | 1pF @ 0V, 1MHz | 1.25V @ 150mA | 100V | 4ns | 150°C (Max) |
| BAS316/ZLF | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | NXP USA Inc. | SC-76, SOD-323 | 215mA (DC) | Standard | Surface Mount | SOD-323 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 80V | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 1.25V @ 150mA | 100V | 4ns | 150°C (Max) |
- 10
- 15
- 50
- 100