-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMEG2002ESF,315 | NOW NEXPERIA PMEG2002ESF - RECTI | NXP USA Inc. | 0201 (0603 Metric) | 200mA | Schottky | Surface Mount | DSN0603-2 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 3.5µA @ 20V | 25pF @ 1V, 1MHz | 490mV @ 100mA | 20V | 1.9ns | 125°C (Max) |
| PMEG3002ESFYL | NOW NEXPERIA PMEG3002ESF - 30 V, | NXP USA Inc. | 0201 (0603 Metric) | 200mA | Schottky | Surface Mount | DSN0603-2 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 9µA @ 30V | 21pF @ 1V, 1MHz | 535mV @ 200mA | 30V | 1.42ns | 150°C (Max) |
| PMEG2002AESF,315 | NOW NEXPERIA PMEG2002AESF - RECT | NXP USA Inc. | 0201 (0603 Metric) | 200mA | Schottky | Surface Mount | DSN0603-2 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 45µA @ 20V | 25pF @ 1V, 1MHz | 420mV @ 200mA | 20V | 1.9ns | 125°C (Max) |
| 1N914B,113 | DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 | NXP USA Inc. | DO-204AH, DO-35, Axial | 200mA | Standard | Through Hole | ALF2 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 5µA @ 75V | 4pF @ 0V, 1MHz | 1V @ 100mA | 100V | 4ns | 175°C (Max) |
- 10
- 15
- 50
- 100