• Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
SICB1060P-TP SIC SCHOTTKY BARRIER , 10A ,650V Micro Commercial Co TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount D2PAK No Recovery Time > 500mA (Io) 44 µA @ 650 V 36pF @ 400V, 1MHz 1.6V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
SICU1060P-TP SIC SCHOTTKY BARRIER , 10A ,650V Micro Commercial Co TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount DPAK (TO-252) No Recovery Time > 500mA (Io) 44 µA @ 650 V 452pF @ 0V, 1MHz 1.6V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
SICF1060P-BP SIC SCHOTTKY BARRIER , 10A ,650V Micro Commercial Co TO-220-2 Isolated Tab 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole ITO-220AC No Recovery Time > 500mA (Io) 44 µA @ 650 V 452pF @ 0V, 1MHz 1.6V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
SIC1060P-BP SIC SCHOTTKY BARRIER , 10A ,650V Micro Commercial Co TO-220-2 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220AC No Recovery Time > 500mA (Io) 44 µA @ 650 V 36pF @ 400V, 1MHz 1.6V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
SIC1060PL8-TP SIC SCHOTTKY BARRIER , 10A ,650V Micro Commercial Co 4-XQFN Exposed Pad 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount DFN0808A No Recovery Time > 500mA (Io) 44 µA @ 650 V 452pF @ 0V, 1MHz 1.6V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
SIC1060A-TP DIODE SCHOTTKY Micro Commercial Co TO-220-2 10A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220AC No Recovery Time > 500mA (Io) 5µA @ 650V 600pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100