• Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Серия
IDV15E65D2XKSA1 DIODE GEN PURP 650V 15A TO220-2 Infineon Technologies TO-220-2 15A Standard Through Hole TO-220-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40µA @ 650V 2.2V @ 15A 650V 47ns -40°C ~ 175°C
HFA15PB60PBF DIODE GEN PURP 600V 15A TO247AC Infineon Technologies TO-247-2 15A Standard Through Hole TO-247AC Modified Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 600V 1.7V @ 15A 600V 60ns -55°C ~ 150°C HEXFRED®
IDC10D120T6MX1SA1 DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER Infineon Technologies Die 15A Standard Surface Mount Sawn on foil Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3.5µA @ 1200V 2.05V @ 15A 1200V -40°C ~ 175°C
IDP15E65D2XKSA1 DIODE GEN PURP 650V 15A TO220 Infineon Technologies TO-220-2 15A Standard Through Hole TO-220 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40µA @ 650V 2.3V @ 15A 650V 47ns -40°C ~ 175°C
HFA15TB60PBF DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC Infineon Technologies TO-220-2 15A Standard Through Hole TO-220AC Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 600V 1.7V @ 15A 600V 60ns -55°C ~ 150°C HEXFRED®
IDP15E65D1XKSA1 DIODE GEN PURP 650V 15A TO220-2 Infineon Technologies TO-220-2 15A Standard Through Hole TO-220-2 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40µA @ 650V 1.7V @ 15A 650V 114ns -40°C ~ 175°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100