-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRD3CH82DB6 | DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DIE | Infineon Technologies | Die | 150A | Standard | Surface Mount | Die | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3µA @ 1200V | 2.7V @ 150A | 1200V | 355ns | -40°C ~ 150°C |
| IDC73D120T6MX1SA2 | DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER | Infineon Technologies | Die | 150A | Standard | Surface Mount | Sawn on foil | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 26µA @ 1200V | 2.05V @ 150A | 1200V | -40°C ~ 175°C | |
| IDW100E60 | IDW100E60 - SILICON POWER DIODE | Infineon Technologies | TO-247-3 | 150A | Standard | Through Hole | PG-TO247-3 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 40µA @ 600V | 2V @ 100A | 600V | 120ns | -40°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100