-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DZ1070N18KHPSA3 | DIODE GEN PURP 1.8KV 1100A MOD | Infineon Technologies | Module | 1100A | Standard | Chassis Mount | Module | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 150mA @ 1800V | 1.11V @ 3000A | 1800V | -40°C ~ 150°C |
| DZ1100N22KTIMHPSA1 | THYR / DIODE MODULE DK | Infineon Technologies | Module | 1100A | Standard | Chassis Mount | BG-PB70AT-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 80mA @ 2200V | 1.11V @ 3000A | 2200V | 150°C (Max) |
| DZ1070N22KHPSA3 | DIODE GEN PURP 2.2KV 1100A MOD | Infineon Technologies | Module | 1100A | Standard | Chassis Mount | Module | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 150mA @ 2200V | 1.11V @ 3000A | 2200V | -40°C ~ 150°C |
| DZ1100N22KHPSA2 | DIODE GEN PURP 2.2KV 1100A MOD | Infineon Technologies | Module | 1100A | Standard | Chassis Mount | Module | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 80mA @ 2200V | 1.11V @ 3000A | 2200V | -40°C ~ 150°C |
| D1131SH65TXPSA1 | DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A | Infineon Technologies | DO-200AE | 1100A | Standard | Chassis Mount | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 150mA @ 6500V | 5.6V @ 2500A | 6500V | 0°C ~ 140°C |
- 10
- 15
- 50
- 100