-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| D1050N12TXPSA1 | DIODE GEN PURP 1.2KV 1050A | Infineon Technologies | DO-200AB, B-PUK | 1050A | Standard | Chassis Mount | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 60mA @ 1200V | 1V @ 1000A | 1200V | -40°C ~ 180°C |
| D1050N18TXPSA1 | DIODE GEN PURP 1.8KV 1050A | Infineon Technologies | DO-200AB, B-PUK | 1050A | Standard | Chassis Mount | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 60mA @ 1800V | 1V @ 1000A | 1800V | -40°C ~ 180°C |
| D1050N16TXPSA1 | DIODE GEN PURP 1.6KV 1050A | Infineon Technologies | DO-200AB, B-PUK | 1050A | Standard | Chassis Mount | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 60mA @ 1600V | 1V @ 1000A | 1600V | -40°C ~ 180°C |
| D1050N14TXPSA1 | DIODE GEN PURP 1.4KV 1050A | Infineon Technologies | DO-200AB, B-PUK | 1050A | Standard | Chassis Mount | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 60mA @ 1400V | 1V @ 1000A | 1400V | -40°C ~ 180°C |
- 10
- 15
- 50
- 100