-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G5S12002A | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 170pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 2A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| G3S06503H | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 3A 2-PIN | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 Full Pack | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 181pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 3A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| G3S06504H | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 Full Pack | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 181pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 4A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100