-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C5D10170H | 10A, 1700V, G5 ZREC SIC SCHOTTKY | Cree/Wolfspeed | TO-247-2 | 33A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 1700V | 830pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1700V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® |
C4D10120E | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 | Cree/Wolfspeed | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 33A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-252-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 250µA @ 1200V | 754pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® |
C4D10120E-TR | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 | Cree/Wolfspeed | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 33A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-252-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 250µA @ 1200V | 754pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® |
E4D10120A | E SERIES, 10 AMP, 1200V G4 SCHOT | Cree/Wolfspeed | TO-220-2 | 33A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 1200V | 777pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | -55°C ~ 175°C | Automotive, AEC-Q101, E | |
C4D10120A | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Cree/Wolfspeed | TO-220-2 | 33A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 250µA @ 1200V | 754pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® |
- 10
- 15
- 50
- 100