-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EGP30A-TP | DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AE | Micro Commercial Co | DO-201AE, Axial | 3A | Standard | Through Hole | DO-201AE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 50V | 1V @ 3A | 50V | 50ns | -55°C ~ 150°C |
| EGP30B-TP | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AE | Micro Commercial Co | DO-201AE, Axial | 3A | Standard | Through Hole | DO-201AE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 100V | 1V @ 3A | 100V | 50ns | -55°C ~ 150°C |
| EGP30F-TP | DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AE | Micro Commercial Co | DO-201AE, Axial | 3A | Standard | Through Hole | DO-201AE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 300V | 1.25V @ 3A | 300V | 50ns | -55°C ~ 150°C |
| EGP30G-TP | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AE | Micro Commercial Co | DO-201AE, Axial | 3A | Standard | Through Hole | DO-201AE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 400V | 1.25V @ 3A | 400V | 50ns | -55°C ~ 150°C |
| EGP30D-TP | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AE | Micro Commercial Co | DO-201AE, Axial | 3A | Standard | Through Hole | DO-201AE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 200V | 1V @ 3A | 200V | 50ns | -55°C ~ 150°C |
- 10
- 15
- 50
- 100