-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DNA30E2200FE | DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC | IXYS | TO-251-2, IPak | 30A | Standard | Through Hole | i4-PAC™ | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 40µA @ 2200V | 7pF @ 700V, 1MHz | 1.25V @ 30A | 2200V | -55°C ~ 175°C | ||||
| DSEE55-24N1F | DIODE ARRAY GP 1200V 60A I4PAC | IXYS | i4-Pac™-3 | Standard | Through Hole | i4-PAC™ | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 1200V | 2.45V @ 60A | 1200V | 220ns | -55°C ~ 175°C | 1 Pair Series Connection | 60A | HiPerFRED™ | ||
| DHH55-36N1F | DIODE ARRAY GP 1800V 60A I4PAC | IXYS | i4-Pac™-3 | Standard | Through Hole | i4-PAC™ | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 200µA @ 1800V | 2.04V @ 60A | 1800V | 230ns | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Series Connection | 60A |
- 10
- 15
- 50
- 100