-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ND350N12KHPSA1 | DIODE GP 1.2KV 350A BG-PB50ND-1 | Infineon Technologies | Module | 350A | Standard | Chassis Mount | BG-PB50ND-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 30mA @ 1200V | 1200V | -40°C ~ 135°C | |
| ND261N20KHPSA1 | DIODE GP 2KV 260A BG-PB50ND-1 | Infineon Technologies | Module | 260A | Standard | Chassis Mount | BG-PB50ND-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 40mA @ 2000V | 2000V | -40°C ~ 135°C | |
| ND260N14KHPSA1 | DIODE GP 1.4KV 260A BG-PB50ND-1 | Infineon Technologies | Module | 260A | Standard | Chassis Mount | BG-PB50ND-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 30mA @ 1400V | 1400V | -40°C ~ 135°C | |
| ND260N12KHPSA1 | DIODE GP 1.2KV 104A BG-PB50ND-1 | Infineon Technologies | Module | 104A | Standard | Chassis Mount | BG-PB50ND-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 20mA @ 1200V | 1200V | -40°C ~ 135°C | |
| ND350N16KHPSA1 | DIODE GP 1.6KV 350A BG-PB50ND-1 | Infineon Technologies | Module | 350A | Standard | Chassis Mount | BG-PB50ND-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 30mA @ 1600V | 1600V | -40°C ~ 135°C | |
| ND260N16KHPSA1 | DIODE GP 1.6KV 260A BG-PB50ND-1 | Infineon Technologies | Module | 260A | Standard | Chassis Mount | BG-PB50ND-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 30mA @ 1600V | 1600V | -40°C ~ 135°C | |
| ND261N22KHPSA1 | DIODE GP 2.2KV 260A BG-PB50ND-1 | Infineon Technologies | Module | 260A | Standard | Chassis Mount | BG-PB50ND-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 40mA @ 2200V | 2200V | -40°C ~ 135°C | |
| ND261N26KHPSA1 | DIODE GP 2.6KV 260A BG-PB50ND-1 | Infineon Technologies | Module | 260A | Standard | Chassis Mount | BG-PB50ND-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 40mA @ 2600V | 2600V | -40°C ~ 135°C | |
| ND242S10KHPSA1 | DIODE GP 1KV 261A BG-PB50ND-1 | Infineon Technologies | Module | 261A | Standard | Chassis Mount | BG-PB50ND-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 200mA @ 1000V | 1000V | -40°C ~ 135°C | |
| ND241S14KHPSA1 | DIODE GP 1.4KV 261A BG-PB50ND-1 | Infineon Technologies | Module | 261A | Standard | Chassis Mount | BG-PB50ND-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 200mA @ 1400V | 1400V | -40°C ~ 135°C | |
| ND260N08KHPSA1 | DIODE BG-PB50ND-1 | Infineon Technologies | Module | 260A | Standard | Chassis Mount | BG-PB50ND-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 30mA @ 800V | 1.32V @ 800A | 800V | 150°C (Max) |
- 10
- 15
- 50
- 100