-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| D4201N18TS01VFXPSA1 | DIODE MODULE | Infineon Technologies | DO-200AE | 6010A | Standard | Chassis Mount | BG-D12035K-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 200mA @ 2200V | 1V @ 4000A | 2200V | -40°C ~ 160°C |
| D3501N36TXPSA1 | DIODE GP 4870A BG-D12035K-1 | Infineon Technologies | DO-200AE | 4870A | Standard | Chassis Mount | BG-D12035K-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 100mA @ 4200V | -40°C ~ 160°C | ||
| D3501N42TVFXPSA1 | HIGH POWER THYR / DIO | Infineon Technologies | DO-200AE | 4870A | Standard | Chassis Mount | BG-D12035K-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 100mA @ 4200V | 4200V | 160°C (Max) |
- 10
- 15
- 50
- 100