-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| D1461S45TXPSA2 | DIODE GEN PURP D10026K-1 | Infineon Technologies | DO-200, Variant | 1720A | Standard | Chassis Mount | BG-D10026K-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 200mA @ 4500V | -40°C ~ 140°C | |
| D1821SH45TS05XOSA1 | DIODE MODULE | Infineon Technologies | DO-200, Variant | 1710A | Standard | Chassis Mount | BG-D10026K-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 4500V | ||
| D1461S45TXPSA1 | DIODE GEN PURP D10026K-1 | Infineon Technologies | DO-200, Variant | 1720A | Standard | Chassis Mount | BG-D10026K-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 200mA @ 4500V | -40°C ~ 140°C | |
| D1721NH90TAOSA1 | DIODE GEN PURP D12026K-1 | Infineon Technologies | DO-200, Variant | 2160A | Standard | Chassis Mount | BG-D10026K-1 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 150mA @ 9000V | 0°C ~ 140°C |
- 10
- 15
- 50
- 100