• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 17
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Серия
GD10MPS12A 1200V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY GeneSiC Semiconductor TO-220-2 25A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 5µA @ 1200V 367pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
GC08MPS12-220 SIC DIODE 1200V 8A TO-220-2 GeneSiC Semiconductor TO-220-2 43A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 7µA @ 1200V 545pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 8A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
GD30MPS06A 650V 30A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M GeneSiC Semiconductor TO-220-2 30A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 650V 0ns 175°C SiC Schottky MPS™
GB02SLT12-220 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC GeneSiC Semiconductor TO-220-2 2A Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 138pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 2A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
GC15MPS12-220 SIC DIODE 1200V 15A TO-220-2 GeneSiC Semiconductor TO-220-2 82A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 14µA @ 1200V 1089pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 15A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
GE06MPS06A 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP GeneSiC Semiconductor TO-220-2 12A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 279pF @ 1V, 1MHz 650V -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
GB05SLT12-220 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC GeneSiC Semiconductor TO-220-2 5A Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 260pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 2A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
GC05MPS12-220 SIC DIODE 1200V 5A TO-220-2 GeneSiC Semiconductor TO-220-2 29A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 4µA @ 1200V 359pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 5A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
GE04MPS06A 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP GeneSiC Semiconductor TO-220-2 9A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 5µA @ 650V 186pF @ 1V, 1MHz 1.35V @ 4A 650V 0ns -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
GC02MPS12-220 SIC DIODE 1200V 2A TO-220-2 GeneSiC Semiconductor TO-220-2 12A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 2µA @ 1200V 127pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 2A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
GB01SLT12-220 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC GeneSiC Semiconductor TO-220-2 1A Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 2µA @ 1200V 69pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 1A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
GD20MPS12A 1200V 20A TO-220-2 SIC SCHOTTKY GeneSiC Semiconductor TO-220-2 42A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 10µA @ 1200V 737pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 20A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
GC10MPS12-220 SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2 GeneSiC Semiconductor TO-220-2 54A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 10µA @ 1200V 660pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
GE08MPS06A 650V 8A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP GeneSiC Semiconductor TO-220-2 15A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 373pF @ 1V, 1MHz 650V -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
GC20MPS12-220 SIC DIODE 1200V 20A TO-220-2 GeneSiC Semiconductor TO-220-2 94A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 18µA @ 1200V 1298pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 20A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100